EPC2010详细
TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
EPC2010参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:12A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 6A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 3mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):480pF @ 100V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:7-SMD，凸引线,供应商器件封装:7-LGA（3.6x1.6）
